flash存储器（Flash存储器和传统的只读存储器相比有什么优点）
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Flash存储器和传统的只读存储器相比有什么优点
FLASH闪存
闪存的英文名称是“Flash
Memory“，一般简称为“Flash“，它属于内存器件的一种。
不过闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异：
目前各类
DDR
、
SDRAM
或者
RDRAM
都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存；
闪存则是一种不挥发性（
Non-Volatile
）内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
只读存储器（read
only
memory）
只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。英文简称ROM。ROM所存数据，一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。ROM所存数据稳定
，断电后所存数据也不会改变；其结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。除少数品种的只读存储器（如字符发生器）可以通用之外，不同用户所需只读存储器的内容不同。为便于使
用和大批
量
生产
，进一步发展了可编程只读存储器（PROM）、可擦可编程序只读存储器（EPROM）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。EPROM需用紫外光长时间照射才能擦除，使用很不方便。20世纪
80
年代制出的
EEPROM
，克服了EPROM的不足，但集成度不高
，价格较贵。于是又开发出一种新型的存储单元结构同
EPROM
相似的快闪存储器
。其集成度高、功耗低
、体积小
，又能在线快速擦除
，因而获得飞速发展，并有可能取代现行的硬盘和软盘而成为主要的大容量存储媒体。大部分只读存储器用金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管制成。
flash内存条与ddr的区别
区别1：不同的功耗和发热：flash闪存模块消耗大量的功耗，DDR在成本控制的基础上降低了能耗和发热。
区别2：工作频率较高：flash存储模块能耗较高。由于降低了能耗，DDR可以获得更高的工作频率，在一定程度上弥补了延迟时间较长的缺点。
区别3：数据处理不一样：闪存模块数据删除不是基于单个字节，而是基于固定块。块大小通常为256Kb到20MB，闪存是一种电子可擦除只读存储器（EEPROM）。DDR内存颗粒大多为16M X 32bit，搭配中高端属显卡常用的128MB显存便需8颗较为合适。
区别4：通用性不同：闪存模块广泛应用于大多数电子设备中。由于DDR的针脚和封装等关键特性没有改变，所以显卡的显示核心和公共版本设计相对高端，也比较少见。
扩展资料：
在嵌入式系统中，内存（SDRAM或DDR）可以作为文件系统的存储介质。当存储器断电时，它不能保持原始数据不变。因此，基于内存的文件系统只能是临时文件系统，可以用来保存临时文件，而不是需要永久记录的文件。其优点是内存中只有动态变化，系统不会产生垃圾。
目前内存中常用的SDRAM和DDR-SDRAM。使用SDRAM需要CPU提供SDRAM接口控制器。使用DDR-SDRAM需要CPU提供DDR-SDRAM接口控制器。两者最大的区别是DDR-SDRAM至少比SDRAM快一倍，意味着如果读取一个文件需要两秒钟，那么使用DDR可能需要不到一秒钟的时间。
Flash是嵌入式系统中最常用的文件系统存储介质。nor和NAND有两种类型。也不能直接读取flash，但写入是通过块而不是字节完成的。而不是直接写，它需要由命令控制；NAND flash也就是说，它不允许直接读写。读写都是通过块来完成的，需要通过命令来控制。
相比之下，nor的读取速度比NAND快，NAND的单位密度也比nor高，即单个IC NAND flash可以有4GB（字节）的存储空间，nor flash最多只能有1GB（位）。NAND flash通常有坏块，所以文件系统的设计比较复杂（坏块需要处理）。应该注意的是，关闭闪存电源可以防止文件丢失。
flash一个地址能存多大数据
flash一个地址能存1Kb和2Kb的，也就是1024字节和2048字节，一般来说内部flash大的采用2048字节一页，内部flash小的采用1024字节一页。
flash是存储芯片的一种，通过特定的程序可以修改里面的数据。FLASH在电子以及半导体领域内往往表示Flash Memory的意思，即平时所说的“闪存”，全名叫Flash EEPROM Memory。
flash存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程的性能，还可以快速读取数据，使数据不会因为断电而丢失。
Flash种类：
目前Flash主要有两种NORFlash和NANDFlash。NORFlash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NORFLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。
NANDFlash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。
以上内容参考 百度百科-Flash
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